据悉三星第三代 4nm 芯片将于今年上半年量产

发布时间：2023-03-13 14:20:24 所属栏目：动态来源：

导读：报道称,三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片,该芯片将在早期的工艺中稳定良率问题,并改善性能、功耗和分区域改进。

三星电子 12 日公布的《三星电子事业报告书》中显示，三星将于今年上半年开始量产基于 4

报道称,三星将于今年上半年开始量产第三代4纳米芯片,该芯片将在早期的工艺中稳定良率问题,并改善性能、功耗和分区域改进。

三星电子 12 日公布的《三星电子事业报告书》中显示，三星将于今年上半年开始量产基于 4nm 工艺的 2.3代芯片。

业内人士估计，三星电子目前 4 纳米工艺良率可达到 60%，而台积电同类型良率可达到 70~80%。专家们一致认为，考虑到三星电子旗下产品的良品率正在迅速提高，即便是后续三星产品的量产也在不知不觉中加快。

随着三星电子在先进工艺上不断突破，在性能提高的前提下保证产能，预计可在 5nm 级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。

这是三星电子首次提及 4 纳米后续版本的具体量产时间。与 4 纳米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代产品表现出了更好的性能，而且还带来了更低的功耗和更小的面积。

不过，三星电子在 SF4E 芯片实现商用之后在芯片产量的管理上也遇到了一系列难题，最终因为能耗表现不佳再加上产能限制将大客户高通拱手让给了台积电。

根据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据，截至去年第三季度，[4 纳米和 5 纳米工艺占销售额占比最高，达到了 22%，超过了 6 纳米和 7 纳米工艺的 16% 和 16、14 和 12 纳米工艺的 11%。、14和12纳米工艺的11%。而6纳米工艺的占比则降至10%以下。这意味着台积电已经开始逐渐放弃5纳米和7纳米工艺，转而投向更先进的3纳米和4纳米工艺。

（编辑：驾考网）

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